3000 pF 基于硅的射频电容器/薄膜电容器

结果: 5
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 电容
电压额定值
封装 / 箱体
容差
系列
温度系数
最小工作温度
最大工作温度
封装
KYOCERA AVX 100E302JAR500XJ32
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

3000 pF 500 V 3838 (9696 metric) 5 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Bulk
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3KV 3KpF .72x.74" 5% Laser Marking
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

3000 pF 5 % 800H - 55 C + 125 C Tray
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 16
倍数： 16

3000 pF 500 V 3838 (9696 metric) 5 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Bulk
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 16
倍数： 16

3000 pF 500 V 3838 (9696 metric) 5 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Bulk
KYOCERA AVX 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MLC C/E/H
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 24
倍数： 24

3000 pF 500 V 3838 (9696 metric) 10 % 100E 90 PPM / C - 55 C + 125 C Bulk