200B104NMS100XC20
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请参阅产品规格
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581-200B104NMS100XC
200B104NMS100XC20
制造商:
说明:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 10nF 30% Microstrip Configuration
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100V 10nF 30% Microstrip Configuration
寿命周期:
工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。
库存量: 606
-
库存:
-
606 可立即发货出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期:
-
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于606的订购须受最低订购要求的限制。
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| ¥88.0609 | ¥88.06 | |
| ¥63.5738 | ¥635.74 | |
| ¥55.4943 | ¥3,329.66 | |
| ¥52.545 | ¥5,254.50 | |
| ¥48.4657 | ¥48,465.70 | |
| ¥44.9966 | ¥89,993.20 |
合规代码
- CNHTS:
- 8532241000
- CAHTS:
- 8532240010
- USHTS:
- 8532240020
- JPHTS:
- 853224000
- KRHTS:
- 8532240000
- TARIC:
- 8532240000
- MXHTS:
- 8532240400
- BRHTS:
- 85322410
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
