66.666 MHz MEMS振荡器

结果: 221
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 封装 / 箱体 频率 频率稳定性 负载电容 电源电压-最小 电源电压-最大 输出格式 电流额定值 最小工作温度 最大工作温度 资格 系列
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 1,000
倍数: 100

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 1,000
倍数: 100

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 MEMS OSC XO 66.6660MHZ CMOS SMD 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

0605 (1612 metric) 66.666 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 40 C + 85 C AMPM
ABRACON MEMS振荡器 Oscillator 3225 6-SMD 66.666MHz 50ppm -55C - 125C CMOS 2.25V - 3.6V 无库存交货期 16 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

1310 (3225 metric) 66.666 MHz 2.25 V 3.6 V CMOS ASEMP
ABRACON MEMS振荡器 Oscillator 7050 6-SMD 66.666MHz 25ppm -40C - 85C CMOS 2.25V - 3.6V 无库存交货期 16 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2820 (7050 metric) 66.666 MHz 25 PPM 2.25 V 3.6 V CMOS - 40 C + 85 C ASVMP
Microchip Technology MEMS振荡器 MEMS OSC, LVCMOS, 66.666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 无库存交货期 16 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

CDFN-4 66.666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
SiTime MEMS振荡器 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
7 mm x 5 mm 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 66.666MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 66.666MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 66.666MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 66.666MHz, ST, 1k pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 66.666MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 66.666MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 66.666MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 66.666MHz, ST, 1k pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 66.666 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime SiT1602BC-33-18E-66.666000X
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 1.8V, 66.666MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SIT8008BI-21-18S-66.666000E
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 1.8V, 66.666MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

66.666 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B