SiTime MEMS振荡器

结果: 7,678
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 封装 / 箱体 频率 频率稳定性 负载电容 电源电压-最小 电源电压-最大 输出格式 电流额定值 最小工作温度 最大工作温度 资格 系列
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 10ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R
987预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 10ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
376预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 156.25MHz, OE, LVDS, T&R
1,000预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS振荡器 125MHz 3.3V
748预期 2026/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 125 MHz 10 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS振荡器 100MHz 3.3V 25ppm -40C +85C
692预期 2026/8/3
最低: 1
倍数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 5032, 20ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, T&R
994预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS振荡器 644.53125MHz 3.3V 25ppm -20C +70C
250预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 644.53125 MHz 25 PPM 2 pF 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime SIT9121AI-2BF-XXS156.250000G
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 2.25V-3.63V, 156.25MHz, ST, LVDS, 250 pcs T&R 8 mm
750预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1
: 250

156.25 MHz 10 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.032768MHz, AC-C, 300mV, AC-C Receiver, 1k pcs T&R 8 mm
990预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C
SiTime MEMS振荡器 48MHz, 20PPM, 55%, Low Power SMD/SMT Standard Frequency Oscillator
1,600预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 48MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
250预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
746在途量
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 33.3333MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
1,000预期 2026/9/9
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 33.3333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS振荡器 25MHz 2.25V-3.63V 25ppm -40C to +125C
135预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C SiT2024A
SiTime MEMS振荡器 125MHz, 3.3V, 20ppm, -40 to 85C, 25pc T&R
25预期 2026/7/29
最低: 1
倍数: 1
: 25

PQFD-6 125 MHz 20 PPM 2 pF 2.97 V 3.63 V LVDS 89 mA - 40 C + 85 C SiT9346
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
277在途量
最低: 1
倍数: 1
: 250

100 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 12.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
669预期 2026/9/22
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

12.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 3.3V, 16MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
500预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1
: 250

16 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
485在途量
最低: 1
倍数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 2.048MHz 1.8Volt -40 to +85 100ppm
1,000预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 2.048 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 160 uA - 40 C + 85 C SiT8021
SiTime MEMS振荡器 -40 to 125C, 2016, 50ppm, Default Dr Str, 2.5V, 80MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
249预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 80 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS振荡器 26MHz 2.25V to 3.63V 40C to +125C 25 ppm
250预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 26 MHz 25 PPM 60 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C AEC-Q100 SIT8924A
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
250预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
: 250

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 100MHz 3.3V LVDS 25ppm_40C +85C
150预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVDS - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS振荡器 100MHz 3.3V LVDS 20ppm
250预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SiT9121