SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

结果: 661
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 封装 / 箱体 频率 频率稳定性 负载电容 电源电压-最小 电源电压-最大 输出格式 电流额定值 最小工作温度 最大工作温度 资格 系列
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 29.5MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 130库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

29.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 12MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 204库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 225库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 64MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 208库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

64 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 19.6608MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 279库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

19.6608 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 33.333333MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 512库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 2.097152 MHz, 20 PPM, SMD/SMT Low Power Programmable Oscillator 249库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

2520 (6450 metric) 2.097152 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 8.00MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 380库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

7 mm x 5 mm 8 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 50MHz 3.3V -40C +85C 82库存量
250预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 495库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

100 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 450库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

50 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 117库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

20 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R 718库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 64MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 630库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

64 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 91.5MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 238库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

91.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS振荡器 227库存量
最低: 1
倍数: 1

15 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 25ppm 822库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 7050, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R 1,248库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 1,490库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

100 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 90MHz, OE, T&R 1,945库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

90 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 27MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

27 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 2016, 25ppm, 3.3V, 8MHz, ST, T&R 2,410库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 216库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 34MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 223库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

34 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 71库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250
8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B