OTHER MEMS振荡器

结果: 140
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 封装 / 箱体 频率 频率稳定性 负载电容 电源电压-最小 电源电压-最大 输出格式 电流额定值 最小工作温度 最大工作温度 资格 系列
SiTime MEMS振荡器 32.768kHz 100ppm -40C +85C 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

SiT1630
SiTime MEMS振荡器 8.192MHz 3.3V 25ppm -20C+70C 无库存交货期 6 周
最低: 250
倍数: 250
: 250

2.5 mm x 2 mm 8.192 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS - 10 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS振荡器 285MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 285 MHz 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS振荡器 156.25MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

7 mm x 5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V HCSL - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS振荡器 312.5MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 312.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9366
SiTime MEMS振荡器 500MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 500 MHz 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS振荡器 622.08MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

7 mm x 5 mm 622.08 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS振荡器 622.08MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 622.08 MHz 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS振荡器 644.53125MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 无库存交货期 14 周
最低: 500
倍数: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 644.53125 MHz 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS振荡器 125MHz 3.3V -40C +105C 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 125 MHz 50 PPM 15 pF 3.3 V 3.3 V LVCMOS 6 mA - 40 C + 105 C SiT8925B
SiTime MEMS振荡器 125MHz 3.3V -40C +125C 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 125 MHz 25 PPM 15 pF 3.3 V 3.3 V LVCMOS 6 mA - 55 C + 125 C SiT8925B
SiTime MEMS振荡器 125MHz 2.25-3.6V -40C +105C 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 125 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 6 mA - 40 C + 105 C SiT8925B

SiTime MEMS振荡器 27MHz -40C +105C 2.8V 30ppm AEC-Q200 无库存交货期 14 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

SOT-23-5 27 MHz 30 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4 mA - 40 C + 105 C AEC-Q200 SiT2024B

SiTime MEMS振荡器 16MHz -40C +105C 3.3V 50ppm AEC-Q200 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

SOT-23-5 16 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4 mA - 40 C + 105 C AEC-Q200 SiT2024A
SiTime MEMS振荡器 20.75MHz 25ppm 1.8V -40 to 85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 20.75 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 50MHz -40C +125C 3.3V 25ppm AEC-Q200 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C AEC-Q200 SIT8924A
SiTime MEMS振荡器 6MHz 3.3V -40C +85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 6 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 12 MHz 1.8V 25ppm -40 to 85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 12MHz 3.3V -40C +85C 20ppm 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 24.54545MHz 25ppm -40 to +85C 1.8V 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 4.54545 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 50.211MHz 20pppm 3.3V -40C +85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50.211 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 59.40706MHz 20ppm 3.3V -40C +85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 59.40706 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 90MHz +/-50ppm -40C to85C 3.3V 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 90 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 2.048MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 2.048 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振荡器 100MHz 20ppm 3.3V -40C +85C 无库存交货期 14 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B