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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥879.2869
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R2
|
MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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无库存
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¥879.2869
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查看
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报价
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最低: 250
倍数: 250
:
250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥683.6952
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
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无库存
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¥683.6952
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¥615.8613
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报价
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报价
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最低: 50
倍数: 50
:
50
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥615.9517
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
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无库存
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¥615.9517
|
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报价
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报价
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最低: 250
倍数: 250
:
250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R0
- MACOM
-
50:
¥1,544.5744
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
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无库存
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¥1,544.5744
|
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查看
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报价
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最低: 50
倍数: 50
:
50
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R250
- MACOM
-
250:
¥1,442.9535
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R25
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
|
无库存
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|
¥1,442.9535
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查看
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报价
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最低: 250
倍数: 250
:
250
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥681.2657
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB201402FC2R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
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无库存
|
|
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¥681.2657
|
|
|
¥620.5508
|
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查看
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报价
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最低: 50
倍数: 50
:
50
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
¥620.6412
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB201402FC2R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
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|
|
¥620.6412
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查看
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报价
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最低: 250
倍数: 250
:
250
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥567.4069
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFC260202FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
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|
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¥567.4069
|
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¥511.0425
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报价
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报价
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最低: 50
倍数: 50
:
50
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC260202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥511.1216
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFC260202FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
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|
¥511.1216
|
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报价
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报价
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|
最低: 250
倍数: 250
:
250
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥336.8191
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTGA090304MDV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
无库存
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|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
¥336.74
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTGA090304MDV2R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
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射频放大器 Power Amplifier
- PTMC210124MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥235.1643
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PTMC210124MD1R5
|
MACOM
|
射频放大器 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
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|
射频放大器 Power Amplifier
- PTMC210404MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥386.121
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTMC210404MD1R5
|
MACOM
|
射频放大器 Power Amplifier
|
|
无库存
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|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTMC210404MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
¥383.9627
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTMC210404MDV2R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTNC210604MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥412.5856
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTNC210604MDV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA084808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA084858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084858NFV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA087008NB-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥1,063.5673
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NB1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
- PTRA087008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
|
|
|
报价
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|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,016.4915
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,016.4915
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
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|
|
报价
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|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
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|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA097058NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,087.4668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097058NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
|
|
¥1,087.4668
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
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|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA082407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥572.8874
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA082407NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA084007NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥802.1757
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA084007NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
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