STMicroelectronics 射频与无线产品

结果: 574
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数量 RoHS
STMicroelectronics 蓝牙开发工具 - 802.15.1 Evaluation platform based on the BlueNRG-248
数据表

STMicroelectronics 射频微控制器 - MCU 32-bit MCU Wireless Series: Bluetooth Low Energy 5.3 +10dBm, high security level
数据表
149库存量
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频开发工具 SPC582B Evaluation Board
数据表
6在途量
最低： 1
倍数： 1
STMicroelectronics STEVAL-IKR002V1D
STMicroelectronics Sub-GHz开发工具 SPIRIT1 - Low Data Rate Transceiver - 169 MHz - DAUGHTER BOARD
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics NFC/RFID开发工具 Discovery board for the ST25TV02KC NFC Forum Type 5 tag IC
数据表
交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics NFC/RFID开发工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50