Analog Devices Inc. 射频(RF)双极晶体管

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 系列 晶体管类型 技术 晶体管极性 工作频率 直流集电极/Base Gain hfe Min 集电极—发射极最大电压 VCEO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极连续电流 最小工作温度 最大工作温度 配置 安装风格 封装 / 箱体 封装
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel