CEL RF晶体管

结果: 14
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 最小工作温度 最大工作温度 增益 封装
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11,531库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,803库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,597库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6,934库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 24 GHz - 55 C + 125 C 13.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 812库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1,907库存量
15,000预期 2026/4/28
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 195库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CEL 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ 无库存
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar SiGe
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 无库存
最低: 15,000
倍数: 15,000
卷轴: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Reel
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz N/A
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CEL CE7530K2-C1
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RF JFET Transistors Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RF JFET Transistors Reel