STMicroelectronics RF晶体管

结果: 92
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-3 Si 945 MHz 200 W 16 dB Reel
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-3 Si 500 MHz 380 W 17 dB Reel
STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics 射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
无库存
最低： 600
倍数： 300

RF Bipolar Transistors Si Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3 Si 3.5 GHz 75 W + 200 C 12.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Reel
STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Reel
STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Reel
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 .500 DIA 4-L W/FLG
RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
数据表

RF MOSFET Transistors Si Tray