射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

结果: 24
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管类型 技术 工作频率 增益 晶体管极性 Vds-漏源极击穿电压 Vgs-栅源极击穿电压 Id-连续漏极电流 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 安装风格 封装 / 箱体 封装
Skyworks Solutions, Inc. 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz 30,344库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

pHEMT GaAs N-Channel - 40 C + 85 C SMD/SMT SC-70-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.18 mm Pwr pHEMT 200库存量
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.60 mm Pwr pHEMT 100库存量
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.25 mm Pwr pHEMT 100库存量
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT Reel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90库存量
最低: 1
倍数: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11,531库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,813库存量
最低: 1
倍数: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,597库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6,934库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 812库存量
最低: 1
倍数: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64库存量
最低: 1
倍数: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1,907库存量
15,000预期 2026/4/28
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 195库存量
最低: 1
倍数: 1

pHEMT GaAs Bulk
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT 交货期 20 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.20mm Pwr pHEMT 交货期 20 周
最低: 100
倍数: 100

pHEMT Tray
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.60mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

pHEMT Reel
MACOM NPT2010
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Amplifier, 48V 100W DC-2.2GHz HEMT 无库存交货期 22 周
最低: 20
倍数: 20

HEMT Si
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 无库存
最低: 15,000
倍数: 15,000
卷轴: 15,000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438

MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Reel