STMicroelectronics IGBT 模块

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
219库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.7 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 2.15 V 3 A 12 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube