STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

结果: 19
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Power
数据表
3,411库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
数据表
16,512库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
数据表
8,947库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
数据表
2,810库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
数据表
3,616库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
数据表
5,248库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
数据表
5,668库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Trnsistr
数据表
2,145库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
数据表
3,123库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
数据表
6,680库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
数据表
2,849库存量
6,000预期 2026/4/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
数据表
7,467库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Trnsistr
数据表
6,008库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose
数据表
1,854库存量
4,000预期 2026/3/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
数据表
3,938库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
数据表
2,690库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
数据表
2,492库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast-switching NPN
数据表
1,344库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
数据表
5,997预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube