STGYA50M120DF3

Name: STMicroelectronics STGYA50M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50M120DF3
Price: 42.38 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGYA50M120DF3

制造商编号：

STGYA50M120DF3

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

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	¥47.8894	¥47.89
	¥34.578	¥345.78
	¥31.3462	¥3,761.54
	¥30.1936	¥15,398.74
5,010	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	Max247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	535 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	M
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
单位重量:	4.430 g

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ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.