STW88N65M5-4

STMicroelectronics
511-STW88N65M5-4
STW88N65M5-4

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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库存量: 166

库存:
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生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于166的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥113.8136 ¥113.81
¥87.7671 ¥877.67
¥76.5123 ¥7,651.23
¥76.4332 ¥45,859.92

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
84 A
29 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
204 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术,并结合了意法半导体著名的 PowerMESH 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻,在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌,使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
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