Single SiC 半导体

结果: 1,079
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 370库存量
2,250在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 901库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 499库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 748库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,085库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 929库存量
1,800在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 841库存量
2,000预期 2026/7/30
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2,302库存量
2,000预期 2027/7/6
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 900库存量
2,000预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,968库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 1,712库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 259库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 538库存量
240预期 2027/4/1
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 237库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 125库存量
240预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
最大: 10

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 147库存量
240在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 341库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 352库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 640库存量
240预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 129库存量
480预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 471库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 1,026库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 70

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 739库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800