32 dB 半导体

结果: 45
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数量 RoHS
Skyworks Solutions, Inc. 射频前端 5GHz 21dBm, 5V 11ac FEM 无库存交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Qorvo CMD308
Qorvo 射频放大器 2 - 6 GHz Low Noise Amplifier
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交货期 30 周
最低： 5
倍数： 5

Qorvo 射频前端 6GHz Wi-Fi 7 High Power nonlinear Front
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Fairview Microwave 射频放大器 2.5 dB NF Low Noise Amplifier Operating From 0.009 MHz to 3 GHz with 32 dB Gain, 16 dBm P1dB and SMA
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更多信息可用
Fairview Microwave 射频放大器 High Power GaAs Amplifier at 5 Watt Psat Operating from 2 GHz to 4.4 GHz with 37 dBm IP3, SMA
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Analog Devices 射频前端 Dual Channel, 2.4 GHz to 4.2 GHz Receive
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Analog Devices 射频前端 Dual Channel, 2.4 GHz to 4.2 GHz Receive
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Analog Devices 射频前端 Dual Channel, 2.4 GHz to 4.2 GHz Receive
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Qorvo 射频前端 5GHz Wi-Fi 7 High Power Front End Module
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Qorvo 射频前端 6GHz Wi-Fi 7 High Power nonlinear Front
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Analog Devices 射频放大器 GaN Driver Ampllifier
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Fairview Microwave 射频放大器 WR-22 Waveguide Low Noise Figure Amplifier at 5.5 dB from 33 GHz to 50 GHz Frequency in Q band with 32 dB Gain, Using UG-383/U Flanges
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Fairview Microwave 射频放大器 2 GHz to 6 GHz, Medium Power Broadband Amplifier with 2 Watt, 32 dB Gain and SMA
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Fairview Microwave 射频放大器 500 MHz to 10 GHz, Medium Power Broadband Amplifier with 25 dBm, 32 dB Gain and SMA
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Qorvo 射频放大器 8.5 - 11 GHz, 4 W GaN PA
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Qorvo 射频前端 2GHz Wi-Fi 6 Front End Module
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
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