STB30N65DM6AG

Name: STMicroelectronics STB30N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB30N65DM6AG
Price: 50.43 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STB30N65DM6AG

制造商编号：

STB30N65DM6AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥56.9859	¥56.99
	¥39.9568	¥399.57
	¥29.8659	¥2,986.59
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥26.555	¥26,555.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	223 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.3 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	1.380 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。