STW75N65DM6-4

Name: STMicroelectronics STW75N65DM6-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW75N65DM6-4
Price: 99.63 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STW75N65DM6-4

制造商编号：

STW75N65DM6-4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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数量	单价	总价
	¥112.5819	¥112.58
	¥83.2132	¥832.13
	¥73.3709	¥8,804.51
	¥72.1279	¥36,785.23
	¥67.574	¥68,925.48
5,010	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	75 A
Rds On-漏源导通电阻:	36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	118 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	480 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	130 ns
典型接通延迟时间:	40 ns
单位重量:	6.080 g

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。