STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

制造商:

说明:
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

寿命周期:
新产品:
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库存量: 688

库存:
688 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥33.5836 ¥33.58
¥30.1936 ¥301.94
¥25.1425 ¥628.56
¥22.5774 ¥2,257.74
¥19.9332 ¥4,983.30
¥18.6111 ¥9,305.55
¥13.56 ¥13,560.00
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥11.413 ¥34,239.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
开发套件: EVLSTDRIVEG212
最大关闭延迟时间: 65 ns
最大开启延迟时间: 65 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 900 uA
输出电压: 220 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 65 ns
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: STDRIVE
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已选择的属性: 0

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合规代码
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STDRIVEG212 220 V半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG212是一款220V高速半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。根据设计,其高侧驱动器部分支持高达220V的电压轨,且可由集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG212具备高电流能力、短传播延迟及优异的延迟匹配,同时集成了LDO稳压器,使其成为驱动高速GaN的理想选择。