DMTH4M70SPGWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ N沟道增强模式MOSFET是一款40V汽车级 MOSFET，在10V栅极驱动下具有0.54mΩ（典型值）的RDS(ON)，栅极电荷为117nC。DMTH4M70SPGWQ采用PowerDI®8080-5创新大电流、高效散热电源封装，非常适合用于电动汽车 (EV) 应用。符合AEC-Q101标准的Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ MOSFET有助于汽车大功率BLDC电机驱动器、直流-直流转换器和充电系统的设计人员最大限度地提高系统效率，同时保证将功耗保持在绝对最低。该器件的工作温度高达+175°C。
