功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型
更改类别视图
结果: 314
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
数据表
485库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
数据表
366库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
数据表
711库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
数据表
15库存量
600预期 2026/3/10
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
数据表
578库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
数据表
23库存量
267在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
数据表
248库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
产品评论
903库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET模块 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
数据表
800在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
3,951预期 2026/3/10
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
数据表
2,979预期 2026/3/31
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
686库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
数据表
643库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
292库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
数据表
399预期 2026/6/1
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
数据表
995预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
数据表
1,200预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
数据表
1,200预期 2026/3/9
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
183库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
数据表
717库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF