功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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4,033库存量
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卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
数据表
2,190库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
数据表
728库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
数据表
504库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
数据表
647库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
数据表
698库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
数据表
1,530库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
数据表
4,628库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
数据表
2,361库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
数据表
2,010库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
数据表
5,655库存量
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倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
数据表
923库存量
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卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
数据表
74库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
251库存量
1,000预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
数据表
产品评论
45库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
数据表
1,000库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
数据表
1,131库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
数据表
446库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
数据表
1,440库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
数据表
1,799库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
数据表
1,225库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
数据表
1,994库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
数据表
1,056库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
2,896库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
483库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3