功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
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934库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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2,239库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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436库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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706库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
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415库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247
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360库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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产品评论
1,294库存量
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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2,892库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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623库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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887库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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660库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1,719库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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7,410库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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491库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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475库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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2,265库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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1,000库存量
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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485库存量
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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958库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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835库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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772库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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1,000库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1,048库存量
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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434库存量
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3