功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET
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3,447库存量
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倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
2,981库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
数据表
2,784库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
数据表
3,156库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
4,567库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
数据表
1,923库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
数据表
4,728库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
数据表
1,713库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
数据表
2,794库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
1,958库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
数据表
2,385库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
1,524库存量
1,000预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
数据表
1,976库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
1,717库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
数据表
1,474库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
数据表
3,777库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
数据表
293库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
1,019库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
512库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
747库存量
600预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
782库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
数据表
737库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
数据表
3,751库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
742库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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873库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2