功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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1,051库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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985库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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2,061库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
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2,937库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
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4,734库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
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3,794库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
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6,051库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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2,616库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
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3,495库存量
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec
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2,091库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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1,879库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
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2,032库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
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1,079库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
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6,164库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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1,205库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
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436库存量
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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3,072库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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718库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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1,427库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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1,800库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
1,718库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
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910库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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1,498库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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1,200库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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388库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4