功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 310
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM) 263库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 252库存量
4,200在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 1,143库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 900库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 195库存量
2,000预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 137库存量
1,000预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i 568库存量
2,500预期 2026/11/10
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 1,569库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS 778库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 154库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS 182库存量
2,500预期 2026/12/25
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 916库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5 1,421库存量
1,000预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 949库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 1,715库存量
2,000预期 2027/1/29
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 633库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS 981库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 961库存量
2,000预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 1,036库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 692库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected 187库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 1,554库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh 129库存量
1,000预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 314库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 299库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3