功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
数据表
299库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
数据表
855库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
数据表
87库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
数据表
385库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
数据表
622库存量
1,000预期 2026/9/25
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
851库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
53库存量
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
597库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
170库存量
3,600在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,060库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
811库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
34库存量
600预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
571库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
464库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
数据表
61库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
数据表
381库存量
1,000预期 2026/7/13
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
数据表
205库存量
1,000预期 2026/11/6
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
数据表
511库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
数据表
611库存量
6,000预期 2026/8/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
269库存量
1,000预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
产品评论
548库存量
1,000预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
405库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
数据表
960库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
数据表
469库存量
1,000预期 2026/12/11
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
464库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3