RN汽车用内置偏置电阻型晶体管

Toshiba RN汽车用内置偏置电阻型晶体管 (BRT) 符合AEC-Q101标准,并针对开关、逆变器电路、接口连接和驱动器电路应用优化。偏置电阻为集成式设计,可减少所需的外部零件数量,同时缩小系统尺寸并节省组装时间。Toshiba RN汽车偏置电阻型BRT提供广泛的电阻范围,适用于各种电路设计。

分离式半导体类型

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结果: 163
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2,880库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5,850库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7,483库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 7,704库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 6,822库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2,764库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5,892库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6,676库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323 8,335库存量
6,000预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SOD-323-2
Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 6,157库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SOD-323-2
Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 17,788库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SOT-323-3
Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3,510库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SOT-323-3
Toshiba ESD保护二极管/TVS二极管 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8,750库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SOT-323-3
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,658库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 6,420库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,962库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1,254库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4,629库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7,757库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4,630库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5,805库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 5,452库存量
最低: 1
倍数: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15,659库存量
最低: 1
倍数: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba 数字晶体管 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 2,716库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3