EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7模块

英飞凌EasyPACK ™ TRENCHSTOP™ IGBT7模块基于微型沟槽技术。  这样可降低损耗并提供高度可控性。该芯片专门优化用于工业驱动应用。该模块具有更低静态损耗、更高功率密度和更灵活的开关能力。通过将电源模块允许的最高工作温度提高到175 °C,可大幅提高功率密度。 

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode 23库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A sixpack IGBT module 2库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A sixpack IGBT module 26库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A sixpack IGBT module 15库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 400 A 3-level IGBT module 1库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 200 A 3-level IGBT module 9库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray