IRFB4620PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFB4620PBFXKMA1
IRFB4620PBFXKMA1

制造商：

说明：
MOSFET IR FET >60-400V

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
200 V
25 A
72.5 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
144 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14.8 ns
正向跨导 - 最小值: 37
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22.4 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25.4 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
零件号别名: IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。