4 Gbit 半导体

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数量 RoHS
GigaDevice NAND闪存
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无库存
最低： 2,100
倍数： 2,100
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 960
倍数： 960
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
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交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
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无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
产品评论
无库存

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,090
倍数： 2,090

Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,420
倍数： 2,420

ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
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无库存交货期 36 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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无库存交货期 40 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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无库存交货期 40 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

ISSI 动态随机存取存储器 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500