8 Gbit 半导体

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Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ COMMERCIAL TEMP, B Die (MT41K512M16HA-125:A) 342库存量
最低: 1
倍数: 1

Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP B Die(MT41K512M16HA-125IT:A), 360库存量
最低: 1
倍数: 1

Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3L, 8G, 1G X 8, 1.35V, 78-ball FBGA, 933 Mhz, Commercial Temp - Tray 554库存量
最低: 1
倍数: 1

Macronix NAND闪存 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 1库存量
最低: 1
倍数: 1

Micron NAND闪存 SLC 8G 512MX8 TSOP 45库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA 314库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

Alliance Memory NAND闪存 SLC Parallel NAND闪存, 8Gb, x8, 1.8V, 4bit ECC,45ns, 63b FBGA, Automotive Grade 110库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s 534库存量
最低: 1
倍数: 1

Micron NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA 33库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

Micron NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA 275库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 1,000

Micron NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP 2库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) 95库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 136库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS43TR81024BL-107MBLI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 126库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 1库存量
136预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
210在途量
最低: 1
倍数: 1

Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
220在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
816预期 2027/4/23
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
6,382在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,715在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,473在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,563在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
809预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371在途量
最低: 1
倍数: 1
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272在途量
最低: 1
倍数: 1