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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
¥975.8793
-
90库存量
|
Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
90库存量
|
|
|
¥975.8793
|
|
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¥815.8261
|
|
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¥791.7571
|
|
|
¥791.7571
|
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最低： 1
倍数： 1
:
250
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,455.4739
-
110库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110库存量
|
|
|
¥1,455.4739
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
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GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
¥11,132.308
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
|
|
20库存量
|
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最低： 1
倍数： 1
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
- VRF2944
- Microchip Technology
-
1:
¥1,637.3587
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
494-VRF2944
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
|
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1库存量
|
|
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¥1,637.3587
|
|
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¥1,636.7824
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最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G18XS-400AVTY
- Ampleon
-
1:
¥759.0888
-
80库存量
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G18XS400AVTY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL
|
|
80库存量
|
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¥759.0888
|
|
|
¥633.8509
|
|
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¥602.2561
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¥577.6899
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最低： 1
倍数： 1
:
100
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
- BLC10G22XS-400AVTY
- Ampleon
-
1:
¥759.0888
-
78库存量
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G22XS400AVTY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
|
|
78库存量
|
|
|
¥759.0888
|
|
|
¥633.8509
|
|
|
¥602.3352
|
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|
¥573.475
|
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最低： 1
倍数： 1
:
100
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP
- BLC10G27XS-400AVTY
- Ampleon
-
1:
¥994.0836
-
87库存量
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G27XS400AVTY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP
|
|
87库存量
|
|
|
¥994.0836
|
|
|
¥832.4484
|
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|
¥807.6336
|
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|
¥758.2526
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
- ARF477FL
- Microchip Technology
-
10:
¥1,263.0688
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF477FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
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无库存交货期 24 周
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最低： 10
倍数： 1
|
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|
音频放大器 2x210W St Dig Pwr A 595-TAS5162DDV A 595 A 595-TAS5162DDV
- TAS5162DDVR
- Texas Instruments
-
2,000:
¥95.2929
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
595-TAS5162DDVR
|
Texas Instruments
|
音频放大器 2x210W St Dig Pwr A 595-TAS5162DDV A 595 A 595-TAS5162DDV
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 2,000
倍数： 2,000
:
2,000
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥550.3891
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
无库存
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¥550.3891
|
|
|
¥481.493
|
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查看
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报价
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最低： 50
倍数： 50
:
50
|
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|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
1:
¥13,664.299
-
1库存量
-
20预期 2026/10/9
|
Mouser 零件编号
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
|
|
1库存量
20预期 2026/10/9
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
- GTRA384802FC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥2,605.554
-
50库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTRA384802FCV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
|
|
50库存量
|
|
|
¥2,605.554
|
|
|
¥1,997.5123
|
|
|
¥1,997.5123
|
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查看
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报价
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|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥2,458.767
-
40库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTRA364002FCV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
|
|
40库存量
|
|
|
¥2,458.767
|
|
|
¥2,118.3997
|
|
|
¥2,016.0895
|
|
|
¥2,016.0895
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2731L-400U
- Ampleon
-
1:
¥3,023.1907
-
106库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G2731L-400U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
|
|
106库存量
|
|
|
¥3,023.1907
|
|
|
¥2,616.063
|
|
|
¥2,615.8144
|
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查看
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报价
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|
最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
- BLC10G18XS-400AVTZ
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G18XS400AVTZ
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
- BLC10G22XS-400AVTZ
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G22XS400AVTZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G22XS-401AVTY
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G22XS401AVTY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
- BLC10G27XS-400AVTZ
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G27XS400AVTZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2731LS-400U
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G2731LS-400U
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2934L-400U
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G2934L-400U
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2934LS-400U
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G2934LS-400U
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G3135L-400U
- Ampleon
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G3135L-400U
Mouser 的新产品
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
- BLS9G3135LS-400U
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G3135LS-400U
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,916.7286
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-GTRA364002FCV1R2
|
MACOM
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GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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无库存
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¥1,916.7286
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查看
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
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GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
- GTRA384802FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,971.4545
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-GTRA384802FCV1R2
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
|
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无库存
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¥1,971.4545
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查看
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
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