TO-247-3 半导体

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial 350库存量
最低: 1
倍数: 1

Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A 2,524库存量
2,296在途量
最低: 1
倍数: 1

Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 650V 20A Gen6 740库存量
最低: 1
倍数: 1


Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SiC, Schottky Diode, 50A, 650V, TO-247-3, Industrial 255库存量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC 2,541库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65M3DFP/SOT429/TO-247 450库存量
最低: 1
倍数: 1

GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,163库存量
最低: 1
倍数: 1

GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,129库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a 598库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 223库存量
最低: 1
倍数: 1

Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 20库存量
最低: 1
倍数: 1



Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 50库存量
最低: 1
倍数: 1



Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 78库存量
最低: 1
倍数: 1



Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 60库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package 176库存量
240预期 2027/1/28
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS 55库存量
720在途量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS 94库存量
480预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1
最大: 10

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 441库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 232库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 162库存量
240预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 110库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
480预期 2026/12/24
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE 73库存量
240预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 31库存量
最低: 1
倍数: 1