|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
- T2G6000528-Q3
- Qorvo
-
1:
¥910.6444
-
374库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6000528-Q3
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
374库存量
|
|
|
¥910.6444
|
|
|
¥863.4782
|
|
|
¥654.5186
|
|
|
¥592.5042
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥8.023
-
28,775库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR840L3RHESDE63
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
|
|
28,775库存量
|
|
|
¥8.023
|
|
|
¥5.1415
|
|
|
¥4.2149
|
|
|
¥4.0228
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.1075
|
|
|
¥3.8081
|
|
|
¥3.6273
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥3.1301
|
|
|
¥3.1075
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
15,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
- BFR 740L3RH E6327
- Infineon Technologies
-
1:
¥15.142
-
14,611库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFR740L3RHE6327
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
|
|
14,611库存量
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥9.3451
|
|
|
¥6.1585
|
|
|
¥4.8364
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.1527
|
|
|
¥4.1358
|
|
|
¥3.7516
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥3.2205
|
|
|
¥3.1527
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
15,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,1025-1150MHz,50V,350pk
- MRF10350
- MACOM
-
1:
¥5,166.0323
-
24库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF10350
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,1025-1150MHz,50V,350pk
|
|
24库存量
|
|
|
¥5,166.0323
|
|
|
¥4,498.6769
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥192.3147
-
148库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD55015-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
|
|
148库存量
|
|
|
¥192.3147
|
|
|
¥138.877
|
|
|
¥129.1251
|
|
|
¥128.707
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
- MRF174
- MACOM
-
1:
¥1,265.4757
-
70库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF174
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
|
|
70库存量
|
|
|
¥1,265.4757
|
|
|
¥1,019.8024
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
- PD55015TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥183.4668
-
573库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD55015TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
|
|
573库存量
|
|
|
¥183.4668
|
|
|
¥137.7244
|
|
|
¥130.9444
|
|
|
¥122.2547
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
- TAV1-541NM+
- Mini-Circuits
-
1:
¥147.6458
-
407库存量
|
Mouser 零件编号
139-TAV1-541NM+
|
Mini-Circuits
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
|
|
407库存量
|
|
|
¥147.6458
|
|
|
¥21.5039
|
|
|
¥20.5999
|
|
|
¥17.6167
|
|
|
¥17.2099
|
|
|
查看
|
|
|
¥17.0404
|
|
|
¥16.7918
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor
- BC858B RF
- Taiwan Semiconductor
-
3,000:
¥0.26442
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC858BRF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 3,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,25W,3.1-3.5GHz,2uS,10%
- PH3135-25S
- MACOM
-
1:
¥3,798.3142
-
18库存量
|
Mouser 零件编号
937-PH3135-25S
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,25W,3.1-3.5GHz,2uS,10%
|
|
18库存量
|
|
|
¥3,798.3142
|
|
|
¥3,237.2579
|
|
|
¥3,103.0026
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.5A, NPN Bipolar Transistor
- BC817-16W RF
- Taiwan Semiconductor
-
3,000:
¥0.38081
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC817-16W-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.5A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 3,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
- BC846AW RF
- Taiwan Semiconductor
-
18,000:
¥0.29832
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC846AW-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 18,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
射频开发工具 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
- QPD1028EVB
- Qorvo
-
1:
¥7,295.5512
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1028EVB
|
Qorvo
|
射频开发工具 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
|
|
2库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460BG
- Microchip Technology
-
1:
¥462.3847
-
68库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF460BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
68库存量
|
|
|
¥462.3847
|
|
|
¥441.7057
|
|
|
¥376.6855
|
|
|
¥321.8466
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BF771E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2.5651
-
22,582库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BF771E6327HTSA1
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
22,582库存量
|
|
|
¥2.5651
|
|
|
¥1.582
|
|
|
¥1.2543
|
|
|
¥1.1865
|
|
|
¥1.06672
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.1413
|
|
|
¥1.03395
|
|
|
¥1.02604
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
- TAV1-331NM+
- Mini-Circuits
-
1:
¥177.5117
-
408库存量
|
Mouser 零件编号
139-TAV1-331NM+
|
Mini-Circuits
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
|
|
408库存量
|
|
|
¥177.5117
|
|
|
¥23.0746
|
|
|
¥21.5943
|
|
|
¥20.679
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -50V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor
- BC857A RF
- Taiwan Semiconductor
-
3,000:
¥0.25651
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC857ARF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -50V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 3,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
- HFA3134IHZ96
- Renesas / Intersil
-
1:
¥73.2014
-
1,580库存量
|
Mouser 零件编号
968-HFA3134IHZ96
|
Renesas / Intersil
|
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
|
|
1,580库存量
|
|
|
¥73.2014
|
|
|
¥50.624
|
|
|
¥43.5954
|
|
|
¥42.5106
|
|
|
查看
|
|
|
¥39.7873
|
|
|
¥39.9568
|
|
|
¥39.7873
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET
- RFD3055LESM9A
- onsemi
-
1:
¥9.4694
-
86,021库存量
|
Mouser 零件编号
512-RFD3055LESM9A
|
onsemi
|
MOSFET Power MOSFET
|
|
86,021库存量
|
|
|
¥9.4694
|
|
|
¥6.102
|
|
|
¥4.3392
|
|
|
¥3.5369
|
|
|
¥3.1075
|
|
|
¥3.1075
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,010
:
2,500
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
- BC848CW RF
- Taiwan Semiconductor
-
18,000:
¥0.29832
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC848CW-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 18,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.5A, NPN Bipolar Transistor
- BC817-40W RF
- Taiwan Semiconductor
-
3,000:
¥0.38081
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC817-40W-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.5A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 3,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
- BC847BW RF
- Taiwan Semiconductor
-
18,000:
¥0.29832
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC847BW-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 18,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
- BC850AW RF
- Taiwan Semiconductor
-
18,000:
¥0.29832
-
无库存交货期 52 周
-
与工厂核实状态
|
Mouser 零件编号
821-BC850AW-RF
与工厂核实状态
|
Taiwan Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 18,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
¥1,351.5817
-
207库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFV09P350-04NR3
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
207库存量
|
|
|
¥1,351.5817
|
|
|
¥1,146.611
|
|
|
¥1,090.2014
|
|
|
¥1,063.9741
|
|
|
¥994.8294
|
|
|
¥994.8294
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 BIP N+N 150MA 8V FT=16G
- MCH6001-TL-E
- onsemi
-
1:
¥8.6897
-
7,007库存量
|
Mouser 零件编号
863-MCH6001-TL-E
|
onsemi
|
射频(RF)双极晶体管 BIP N+N 150MA 8V FT=16G
|
|
7,007库存量
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
¥5.3562
|
|
|
¥3.0171
|
|
|
¥3.0171
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 320
:
3,000
|
|
|
