SiC 半导体

结果: 2,033
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 31库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 49库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 67库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 25库存量
30在途量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 111库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 50库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 52库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 40库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 61库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 28库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84库存量
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 栅极驱动器 GD3160 176库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L 795库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L 790库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC 253库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L 390库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO 554库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 1库存量
40预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1

onsemi MOSFET模块 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 1库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 电流隔离式栅极驱动器 ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE 826库存量
1,000预期 2027/6/11
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 136库存量
800预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1
最大: 230
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,374库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000