|
|
GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
- QPD1016
- Qorvo
-
1:
¥8,822.6671
-
22库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1016
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
|
|
22库存量
|
|
|
¥8,822.6671
|
|
|
¥8,281.2389
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH9F
- CML Micro
-
10:
¥820.9224
-
100库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH9F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100库存量
|
|
|
¥820.9224
|
|
|
¥661.0387
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
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最低： 10
倍数： 10
|
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|
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥711.1429
-
80库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1014ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1014
|
|
80库存量
|
|
|
¥711.1429
|
|
|
¥704.0239
|
|
|
¥505.1326
|
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|
¥455.0058
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
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|
射频开发工具 2.5-5.0 GHz, 8W, 48V GaN RF Tr
Qorvo QPD0005EVB01
- QPD0005EVB01
- Qorvo
-
1:
¥7,295.5512
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD0005EVB01
|
Qorvo
|
射频开发工具 2.5-5.0 GHz, 8W, 48V GaN RF Tr
|
|
2库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET 60V Single
- RFD12N06RLESM9A
- onsemi
-
1:
¥14.4188
-
3,885库存量
|
Mouser 零件编号
512-RFD12N06RLESM9A
|
onsemi
|
MOSFET 60V Single
|
|
3,885库存量
|
|
|
¥14.4188
|
|
|
¥7.6614
|
|
|
¥5.5031
|
|
|
¥4.6104
|
|
|
¥4.2827
|
|
|
¥3.9437
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH15F
- CML Micro
-
10:
¥1,251.7123
-
100库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH15F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100库存量
|
|
|
¥1,251.7123
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
CML Micro MWT-PH27F71
- MWT-PH27F71
- CML Micro
-
1:
¥486.7136
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH27F71
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
1库存量
|
|
|
¥486.7136
|
|
|
¥486.7136
|
|
|
¥421.3092
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN600
- CML Micro
-
10:
¥302.3315
-
100库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-LN600
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
|
|
100库存量
|
|
|
¥302.3315
|
|
|
¥260.4763
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN300
- CML Micro
-
10:
¥292.0033
-
50库存量
|
Mouser 零件编号
938-MWT-LN300
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
|
|
50库存量
|
|
|
¥292.0033
|
|
|
¥291.9129
|
|
|
¥258.3067
|
|
最低： 10
倍数： 10
:
10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
- DU2820S
- MACOM
-
1:
¥988.2076
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
937-DU2820S
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
|
|
20库存量
|
|
|
¥988.2076
|
|
|
¥826.1656
|
|
|
¥801.6785
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
- BFU530WX
- NXP Semiconductors
-
1:
¥6.5314
-
4,865库存量
-
6,000预期 2026/7/29
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU530WX
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
|
|
4,865库存量
6,000预期 2026/7/29
|
|
|
¥6.5314
|
|
|
¥4.2149
|
|
|
¥3.5369
|
|
|
¥3.3448
|
|
|
查看
|
|
|
¥2.1244
|
|
|
¥2.9719
|
|
|
¥2.6894
|
|
|
¥2.4747
|
|
|
¥2.2035
|
|
|
¥2.1244
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频开发工具 A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit
- A5G35S004N-3400
- NXP Semiconductors
-
1:
¥1,548.8345
-
4库存量
|
Mouser 零件编号
771-A5G35S004N-3400
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
- BFP182WH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2.7346
-
6,836库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-FP182WH6327XTSA1
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
|
|
6,836库存量
|
|
|
¥2.7346
|
|
|
¥1.6724
|
|
|
¥1.3221
|
|
|
¥1.2543
|
|
|
¥1.12548
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.1978
|
|
|
¥1.08367
|
|
|
¥1.02604
|
|
|
¥0.91869
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
- TAV1-551+
- Mini-Circuits
-
1:
¥118.2884
-
748库存量
|
Mouser 零件编号
139-TAV1-551+
|
Mini-Circuits
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
|
|
748库存量
|
|
|
¥118.2884
|
|
|
¥118.1189
|
|
|
¥14.803
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥13.899
|
|
|
查看
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥13.56
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
- ARF465BG
- Microchip Technology
-
1:
¥511.3476
-
21库存量
|
Mouser 零件编号
494-ARF465BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
|
|
21库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
- T2G6003028-FS
- Qorvo
-
1:
¥6,880.4005
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6003028-FS
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
|
|
15库存量
|
|
|
¥6,880.4005
|
|
|
¥6,721.0253
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF Osc
- 2N918 PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
¥58.8165
-
681库存量
|
Mouser 零件编号
610-2N918
|
Central Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF Osc
|
|
681库存量
|
|
|
¥58.8165
|
|
|
¥44.748
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥27.5494
|
|
|
查看
|
|
|
¥26.216
|
|
|
¥26.1369
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BF 771 E6327
- Infineon Technologies
-
1:
¥9.4242
-
7,906库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BF771E6327
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
7,906库存量
|
|
|
¥9.4242
|
|
|
¥6.5314
|
|
|
¥4.1245
|
|
|
¥2.5538
|
|
|
¥1.6498
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.8871
|
|
|
¥1.4351
|
|
|
¥1.2543
|
|
|
¥1.03395
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
MACOM MRF10031
- MRF10031
- MACOM
-
1:
¥2,619.7807
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF10031
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
|
|
15库存量
|
|
|
¥2,619.7807
|
|
|
¥2,339.0435
|
|
|
¥2,216.6193
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频开发工具 MRF300AN 230 MHz Reference Circuit
- MRF300AN-230MHZ
- NXP Semiconductors
-
1:
¥6,328.0226
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
771-MRF300AN-230MHZ
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 MRF300AN 230 MHz Reference Circuit
|
|
1库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
Microchip Technology MDS800
- MDS800
- Microchip Technology
-
1:
¥5,366.7429
-
3库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
494-MDS800
工厂特别订单
|
Microchip Technology
|
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
|
|
3库存量
|
|
|
¥5,366.7429
|
|
|
查看
|
|
|
¥5,285.8914
|
|
|
¥5,245.2453
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频开发工具 A5G38H045N 3700-3980 MHz Reference Circuit
- A5G38H045N-3700
- NXP Semiconductors
-
1:
¥4,825.4051
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
771-A5G38H045N-3700
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 A5G38H045N 3700-3980 MHz Reference Circuit
|
|
2库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
- 2N2857 PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
¥64.4326
-
1,561库存量
|
Mouser 零件编号
610-2N2857
|
Central Semiconductor
|
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
|
|
1,561库存量
|
|
|
¥64.4326
|
|
|
¥48.0589
|
|
|
¥35.3238
|
|
|
¥29.8659
|
|
|
查看
|
|
|
¥28.702
|
|
|
¥28.6229
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频开发工具 A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit
- A5G35H110N-3400
- NXP Semiconductors
-
1:
¥4,514.8246
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
771-A5G35H110N-3400
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit
|
|
2库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
|
射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
- CGHV1F006S-AMP1
- MACOM
-
1:
¥8,727.4759
-
1库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV1F006S-AMP1
|
MACOM
|
射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
|
|
1库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
