|
|
栅极驱动器 ISOLATED DRIVER
- 1ED3250MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.0746
-
1,719库存量
|
Mouser 零件编号
726-ED3250MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
栅极驱动器 ISOLATED DRIVER
|
|
1,719库存量
|
|
|
¥23.0746
|
|
|
¥17.2099
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥14.0572
|
|
|
¥12.3283
|
|
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查看
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥12.9837
|
|
|
¥11.9893
|
|
|
¥11.7407
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBG120R060M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥92.2306
-
329库存量
|
Mouser 零件编号
726-IMBG120R060M1HXT
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
329库存量
|
|
|
¥92.2306
|
|
|
¥65.1784
|
|
|
¥54.2626
|
|
|
¥48.3866
|
|
|
¥45.2452
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current
- BM61S41RFV-CE2
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥39.0415
-
1,796库存量
|
Mouser 零件编号
755-BM61S41RFV-CE2
|
ROHM Semiconductor
|
栅极驱动器 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current
|
|
1,796库存量
|
|
|
¥39.0415
|
|
|
¥29.6964
|
|
|
¥27.3008
|
|
|
¥24.7357
|
|
|
查看
|
|
|
¥21.3457
|
|
|
¥23.5718
|
|
|
¥21.8316
|
|
|
¥21.3457
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,500
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC
- SCT3030AW7TL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥303.5632
-
978库存量
|
Mouser 零件编号
755-SCT3030AW7TL
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC
|
|
978库存量
|
|
|
¥303.5632
|
|
|
¥248.8938
|
|
|
¥241.9443
|
|
|
¥232.4297
|
|
|
¥232.4297
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
- SCT3160KLHRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥147.7362
-
506库存量
|
Mouser 零件编号
755-SCT3160KLHRC11
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
|
|
506库存量
|
|
|
¥147.7362
|
|
|
¥91.4057
|
|
|
¥85.2811
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
- SCT4026DEC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥160.5504
-
625库存量
|
Mouser 零件编号
755-SCT4026DEC11
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
|
|
625库存量
|
|
|
¥160.5504
|
|
|
¥104.7171
|
|
|
¥103.8131
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
- SCT4062KRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥93.3832
-
331库存量
|
Mouser 零件编号
755-SCT4062KRC15
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
|
|
331库存量
|
|
|
¥93.3832
|
|
|
¥69.8905
|
|
|
¥65.1784
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
¥102.2424
-
874库存量
|
Mouser 零件编号
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
874库存量
|
|
|
¥102.2424
|
|
|
¥61.2121
|
|
|
¥53.1891
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
- NTHL040N120SC1
- onsemi
-
1:
¥161.8725
-
612库存量
|
Mouser 零件编号
863-NTHL040N120SC1
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
|
|
612库存量
|
|
|
¥161.8725
|
|
|
¥122.831
|
|
|
¥120.0173
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
- NVH4L080N120SC1
- onsemi
-
1:
¥105.2934
-
679库存量
|
Mouser 零件编号
863-NVH4L080N120SC1
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
|
|
679库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 20MOHM 900V
- NVHL020N090SC1
- onsemi
-
1:
¥309.2697
-
328库存量
|
Mouser 零件编号
863-NVHL020N090SC1
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 20MOHM 900V
|
|
328库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
- C3M0040120J1
- Wolfspeed
-
1:
¥100.3327
-
661库存量
|
Mouser 零件编号
941-C3M0040120J1
|
Wolfspeed
|
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
|
|
661库存量
|
|
|
¥100.3327
|
|
|
¥60.3872
|
|
|
¥60.2968
|
|
|
¥59.9691
|
|
|
¥56.0819
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
- C3M0045065J1
- Wolfspeed
-
1:
¥82.716
-
611库存量
|
Mouser 零件编号
941-C3M0045065J1
|
Wolfspeed
|
碳化硅MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
|
|
611库存量
|
|
|
¥82.716
|
|
|
¥46.895
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥46.5673
|
|
|
¥43.505
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
二极管模块 SiC 1200V 15A Schottky Diode Module
- GHXS015A120S-D1
- SemiQ
-
1:
¥254.6794
-
6库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
148-GHXS015A120S-D1
Mouser 的新产品
|
SemiQ
|
二极管模块 SiC 1200V 15A Schottky Diode Module
|
|
6库存量
|
|
|
¥254.6794
|
|
|
¥203.8068
|
|
|
¥176.2687
|
|
|
¥166.9236
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
- UF3C065030B3
- onsemi
-
1:
¥219.4799
-
453库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
431-UF3C065030B3
NRND
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
|
|
453库存量
|
|
|
¥219.4799
|
|
|
¥158.765
|
|
|
¥148.5159
|
|
|
¥138.7075
|
|
|
¥138.7075
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
|
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB54BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥312.7501
-
28库存量
|
Mouser 零件编号
726-DFW1H5FPB54BPSA2
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
28库存量
|
|
|
¥312.7501
|
|
|
¥239.6278
|
|
|
¥224.4858
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
¥592.685
-
80库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1011ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1011
|
|
80库存量
|
|
|
¥592.685
|
|
|
¥586.6847
|
|
|
¥414.7213
|
|
|
¥363.4758
|
|
|
¥358.1761
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥711.1429
-
70库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1014ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1014
|
|
70库存量
|
|
|
¥711.1429
|
|
|
¥704.0239
|
|
|
¥486.6345
|
|
|
¥458.667
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
- NVHL080N120SC1
- onsemi
-
1:
¥139.4646
-
1,182库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
863-NVHL080N120SC1
NRND
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
|
|
1,182库存量
|
|
|
¥139.4646
|
|
|
¥98.9315
|
|
|
¥94.3776
|
|
|
¥89.5864
|
|
|
¥83.7895
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263
- UF3SC065040B7S
- onsemi
-
1:
¥161.9855
-
738库存量
|
Mouser 零件编号
431-UF3SC065040B7S
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263
|
|
738库存量
|
|
|
¥161.9855
|
|
|
¥115.1583
|
|
|
¥100.7508
|
|
|
¥97.0105
|
|
|
¥94.0612
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
|
|
MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
¥238.2266
-
33库存量
|
Mouser 零件编号
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
33库存量
|
|
|
¥238.2266
|
|
|
¥210.18
|
|
|
¥208.2816
|
|
|
¥179.5796
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB53BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥312.7501
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
726-DFW1H5FPB53BPSA2
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
30库存量
|
|
|
¥312.7501
|
|
|
¥238.3848
|
|
|
¥224.4858
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
- SCT3060ARC14
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥220.7681
-
714库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
755-SCT3060ARC14
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
|
|
714库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
- UF3C065080B3
- onsemi
-
1:
¥99.6208
-
1,252库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
431-UF3C065080B3
NRND
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
|
|
1,252库存量
|
|
|
¥99.6208
|
|
|
¥68.8735
|
|
|
¥53.5846
|
|
|
¥51.5845
|
|
|
¥50.0251
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥287.1895
-
283库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-W120R035M1HXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
283库存量
|
|
|
¥287.1895
|
|
|
¥231.1867
|
|
|
¥229.8646
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
