Renesas Electronics 时钟缓冲器

结果: 768
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 输出端数量 最大输出频率 传播延迟—最大值 输出类型 封装 / 箱体 输入类型 最大输入频率 电源电压-最小 电源电压-最大 系列 最小工作温度 最大工作温度

Renesas Electronics 时钟缓冲器 2 O/P 1.8V PCIE BUFFER 47库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

2 Output 0 ps VFQFPN-24 200 MHz 1.7 V 1.9 V 9DBV0231 - 40 C + 85 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 PCIE BUFFER - Z TECH 197库存量
最低: 1
倍数: 1

15 Output 4.5 ns MLF-64 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZX21501 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 HIGH PERF. ZDB DB190 0Z w/External Fdbk 25库存量
最低: 1
倍数: 1

19 Output 400 MHz 4.5 ns HCSL VFQFPN-72 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZX21901 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 PCIE BUFFER - Z TECH 148库存量
最低: 1
倍数: 1

19 Output 400 MHz 4.5 ns HCSL VFQFPN-72 Clock 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZX21901 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 Buffer 33库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

6 Output 4.5 ns VFQFPN-40 150 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL0651 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 9ZXL0832E DB800ZL OEM DERIVATIVE 180库存量
最低: 1
倍数: 1

8 Output 0 ps LP-HCSL VFQFPN-48 HCSL 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL0832 - 40 C + 85 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 9ZXL1232E DB1200ZL OEM DERIVATIVE 64库存量
最低: 1
倍数: 1

12 Output 0 ps LP-HCSL VFQFPN-64 HCSL 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL1232 - 40 C + 85 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 HIGH PERF. ZDB 147库存量
最低: 1
倍数: 1

15 Output 4.5 ns VFQFPN-64 150 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL1530 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 15 O/P LP-HCSL DB1900Z PCIe QPI 61库存量
最低: 1
倍数: 1

15 Output 4.5 ns VFQFPN-64 150 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL1550 0 C + 70 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 9FGL0851D PCIE GEN1-5 CLK GEN_AP635T DIE SHRINK, 8
4,782预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

8 Output VFQFPN-48 3.135 V 3.465 V 9FGL0851 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 RC19204A QMUX 2:4 T&R
5,000预期 2026/9/28
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

4 Output 1.7 ns LP-HCSL VFQFPN-28 HCSL 2.97 V 3.63 V RC19204 - 40 C + 105 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER
5,963预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

4 Output 200 MHz 5 ns LVCMOS SOIC-8 LVCMOS 200 MHz 2.375 V 5.25 V 524 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER
11,365预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

4 Output 5 ns CMOS SOIC-8 CMOS 200 MHz 2.375 V 5.25 V 553M - 40 C + 85 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 High Perf LVCMOS 1.8V to 3.3V 200MHz
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

4 Output 2.4 ns 200 MHz 1.71 V 3.465 V 5PB1104 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 5PB1213 Mixed Signal
27,050在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

3 Output 2.7 ns 200 MHz 2.375 V 3.465 V 5PB1213 - 40 C + 105 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 1-to-2 Differential to LVCMOS Fanout Buf
2,890预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

2 Output 3.1 ns SOIC-8 3.135 V 3.465 V 83026I-01 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 1:12 LVDS Output 1.8V Fanout Buffer
1,998预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1

12 Output 450 ps 1.5 GHz 1.71 V 2.7 V 8P34S1212I - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 9ZXL0851E DB800ZL "LITE"
4,895预期 2026/11/25
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

8 Output 3 ns LP-HCSL VFQFPN-48 HCSL 400 MHz 3.135 V 3.465 V 9ZXL0851 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 RC19004A100 QBUFFER, 100 OHMS, 4 O/P T&R
14,665在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

RC19004A100
Renesas Electronics 时钟缓冲器 9FGL0451D PCIE GEN1-5 CLK GEN_AP635T DIE SHRINK, 4
2,500预期 2027/4/12
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

4 Output VFQFPN-32 3.135 V 3.465 V 9FGL0451 - 40 C + 85 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 RC19008A QBUFFER, 85 OHMS, 8 O/P
4,865预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

8 Output HCSL, LVDS VFQFPN-40 HCSL, LVDS 2.97 V 3.63 V RC19008 - 40 C + 105 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 RC19008A100 QBUFFER, 100 OHMS, 8 O/P
2,350在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

8 Output HCSL, LVDS VFQFPN-40 HCSL, LVDS 2.97 V 3.63 V RC19008 - 40 C + 105 C
Renesas Electronics 时钟缓冲器 RC19208A QMUX 2:8, T&R
2,475预期 2026/9/25
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

8 Output 1.7 ns LP-HCSL VFQFPN-48 HCSL 2.97 V 3.63 V RC19208 - 40 C + 105 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 Low Skew 1 to 4 50fs 50ps 200MHz
1,505预期 2027/11/15
最低: 1
倍数: 1

4 Output 200 MHz 4.5 ns Clock DFN-8 Clock 200 MHz 1.71 V 3.465 V 551S - 40 C + 105 C

Renesas Electronics 时钟缓冲器 Low Skew 1 to 4 50fs 50ps 200 MHz
8,000预期 2026/12/10
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

4 Output 4.5 ns 200 MHz 1.71 V 3.465 V 551S - 40 C + 105 C