Advanced Linear Devices MOSFET

结果: 109
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.30V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.40V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY
数据表
Si
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY
数据表

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 390 Ohms - 12 V, 12 V 2.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY
数据表

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 3.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Reel