STMicroelectronics 分立半导体

结果: 4,056
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STMicroelectronics ESD保护二极管/TVS二极管 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2,236库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics 双向可控硅 25 A standard and Snuberless 34 双向可控硅 599库存量
最低: 1
倍数: 1

Triacs Through Hole TOP-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 978库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 564库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics 双向可控硅 Hi temp 10A 双向可控硅 1,616库存量
最低: 1
倍数: 1

Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 348库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 675库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1,000库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 679库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 235库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 930库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 998库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 500库存量
1,000预期 2026/12/17
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1,946库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 772库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics 碳化硅肖特基二极管 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1,000库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads 266库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics ESD保护二极管/TVS二极管 5000 W, 100 V TVS in SMC 2,364库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5
STMicroelectronics 整流器 600 V, 15 A Turbo 2 Soft Ultrafast Recovery Diode 1,631库存量
最低: 1
倍数: 1

Rectifiers Through Hole DO-247-2


STMicroelectronics 肖特基二极管与整流器 Pwr Schottky 2X20A 120V 0.46VF 994库存量
最低: 1
倍数: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s 33库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh 1,019库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)