FOC电机控制用SLLIMM Nano模块

STMicroelectronics FOC电机控制用SLLIMM Nano模块提供磁场定向控制 (FOC) 或矢量控制。FOC是一种通过两个正交元件对三相交流感应电机驱动中的定子进行变频控制的技术。一个定义定子产生的磁通量，而另一个对应的是由转子位置确定的电机速度所确定的扭矩。STMicroelectronics提供全系列功率半导体和IC，包括分立式IGBT和功率MOSFET。它们还提供实现高效可变频率驱动 (VFD) 电机控制所需的电源模块和智能电源模块 (IPM)、高压栅极驱动器和功能强大的STM32微控制器。

分离式半导体类型
更改类别视图
结果: 12
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
数据表
466库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1
: 400

IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
数据表
77库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
数据表
285库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
159库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
219库存量
360预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics MOSFET模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
数据表
146预期 2026/10/2
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules Si
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 360
倍数： 360

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics STIB1060DM2T-LZ
STMicroelectronics MOSFET模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 180 mOhm typ., 10 A, 600 V Power MOSFET
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 156
倍数： 156

MOSFET Modules Si