Nano系列电源解决方案

ROHM Semiconductor Nano系列电源解决方案包括电源IC,设计用于转换超高速和超低电流技术。Nano Pulse Control™ 应用使用单一集成电路将高电压转换为低电压,以实现更简单、更紧凑的系统。应用包括以太网供电(PoE)设备,如IP电话、无线接入点、以及高扭矩48V电机系统等工业设备。Nano Pulse Control超高速技术可简化汽车锂离子48V电池的电源配置,从而实现从60V到2.5V的最大电压的高降压比(24:1)。因此,导通时间为9 ns,远低于传统产品的120 ns。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET HS0P8 100V 60A N CHAN 4,015库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 40V 100A N CHAN 4,780库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 N-CH 60V 90A 987库存量
2,500预期 2026/6/18
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 150V 35A N CHAN 4,888库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 35 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel