2 GHz RF晶体管

结果: 22
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL 34库存量
100预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 233库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 606库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL 809库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL 123库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 104库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 734库存量
2,000预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 408库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR 61,281库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN

onsemi 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 27,380库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL 70库存量
100预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL 59库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
500预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
200在途量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL
300预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2G-1-3 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT TO-270-2F-1-3 N-Channel