QFN-20 晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Qorvo GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29库存量
最低: 1
倍数: 1

GaN FETs GaN-on-SiC SMD/SMT QFN-20
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V 66库存量
500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP 769库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
500预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
: 500

GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
25预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1

GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-20 N-Channel
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1

GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-20 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-20