FF2MR12KM1HHPSA1

Infineon Technologies
726-FF2MR12KM1HHPSA1
FF2MR12KM1HHPSA1

制造商:

说明:
分立半导体模块 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET

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库存量: 15

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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
CoolSiC Trench MOSFET
Half Bridge
SiC
- 10 V, 23 V
Stud Mount
- 40 C
+ 175 C
M1H
Tray
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 33 ns
Id-连续漏极电流: 290 A
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 1.96 mOhms
上升时间: 153 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: CoolSiC
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 143 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.45 V
零件号别名: FF2MR12KM1H SP005861524
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
匈牙利
扩散国家:
奥地利
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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