Dual Common Source IGBT 模块

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL1
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
数据表
72工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray
Microchip Technology APTGT100DU170TG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP4
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 8
倍数： 1

IGBT Modules Dual Common Source 1.7 kV 2 V 150 A 400 nA 560 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT200DU120G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 5
倍数： 1

IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 1.7 V 280 A 500 nA 890 W SP6 - 40 C + 100 C Tube