Power Modules IGBT 模块

结果: 41
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
onsemi IGBT 模块 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 3

Power Modules Quad 1.6 V 429 A 1 uA 1.08 kW - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 640A SSDC POWER MODULE PIN FIN BASE PLATE
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.45 V 300 nA SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 660A SSDC POWER MODULE FLAT BASE PLATE
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.21 V 300 nA 733 W SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 660A SSDC POWER MODULE FLAT BASE PLATE
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.21 V 300 nA 733 W SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 950A SSDC POWER MODULE
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.4 V 300 nA 1.325 kW SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi SNXH100M95L3Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 15707 Q2PACK, FOD BLUE-LINE
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Power Modules Module 950 V 1.85 V 108 A 800 nA 221 W Q2PACK - 40 C + 125 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 640A SSDC POWER MODULE PIN FIN BASE PLATE
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.45 V 300 nA 680 W SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 AUTOMOTIVE 750V 950A SSDC POWER MODULE
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Power Modules 750 V 1.4 V 300 nA 1.3 kW SSDC-33 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 150KW 1100V Q2PACK PRESS-FIT PIN
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 36
倍数： 36

Power Modules Quad 1.61 V 483 A 15 uA 931 W - 40 C + 175 C Tray
onsemi SNXH225B95H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 HUAWEI 15707 HP Q2BOOST (EXISTING DBC, 3X 10A SIC)
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

Power Modules Module 950 V 1.8 V 65 A 400 nA 136 W Q2BOOST - 40 C + 125 C Tray
Vishay IGBT 模块 Modules IGBT - DIAP IGBT
数据表
Power Modules Half Bridge 600 V 1.29 V 600 A 200 nA 864 W Dual INT-A-PAK - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120T6LIAG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6LI
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 540 A 400 nA 1.612 kW SP6LI - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX450A120T6LIAG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6LI
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 790 A 600 nA 2.381 kW SP6LI - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX600A120T6LIAG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6LI
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 1 kA 600 nA 2.941 kW SP6LI - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX100DU120T3AG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表

Power Modules Dual Common Emitter 1.2 kV 1.8 V 185 A 150 nA 576 W SP3F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX150DU120T3AG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表

Power Modules Dual Common Emitter 1.2 kV 1.8 V 260 A 150 nA 777 W SP3F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX200DU120T3AG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表

Power Modules Dual Common Emitter 1.2 kV 1.8 V 350 A 150 nA 980 W SP3F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX100A120T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1F
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 155 A 150 nA 416 W SP1F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX100H120T3G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表

Power Modules Full Bridge 1.2 kV 1.8 V 155 A 150 nA 416 W SP3F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX150TA120TPG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6P
数据表

Power Modules 3-Phase 1.2 kV 1.8 V 215 A 150 nA 540 W - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX200A120T3AG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表

Power Modules Dual 1.2 kV 1.8 V 350 A 150 nA 980 W SP3F - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX200H120G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表

Power Modules Full Bridge 1.2 kV 1.8 V 280 A 150 nA 682 W SP6C - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX300A120D3G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-D3
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 415 A 200 nA 1.02 kW D3 - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX300A120T6G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表

Power Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 415 A 200 nA 1.02 kW SP6C - 40 C + 125 C
Microchip Technology APTGX300DU120T6G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表

Power Modules Dual Common Emitter 1.2 kV 1.8 V 415 A 200 nA 1.02 kW SP6C - 40 C + 125 C